近日,中國電科國基南方所屬南京國博電子股份有限公司(以下簡稱國博公司)研發的硅基氮化鎵功率放大器芯片,首次在終端射頻領域實現量產應用。
針對智能移動終端對射頻功率放大器性價比、可靠性、尺寸的極致要求,國博公司與國內頭部智能移動終端廠商、相關研發部門組成聯合攻關團隊,協同攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題,充分發揮新型三代半導體材料的技術優勢,在兼顧功率、效率、寬帶等指標的前提下,實現了對傳統砷化鎵功放的性能提升,并突破硅基氮化鎵功放芯片的量產技術。該產品具備高功率、高效率、高寬帶特性,可為客戶降低系統鏈路設計的復雜度,進一步提升手機等終端的數據傳輸速度,降低工作能耗。
下一步,國博公司將持續優化開發新產品,適配多頻段、高效率終端應用場景。同時,持續投入硅基氮化鎵功放芯片產業鏈,推動新型三代半導體材料的產業化發展。